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MR25H128ACDF

Name: Everspin Technologies MR25H128ACDF
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR25H128ACDF
Price: 4.98 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

936-MR25H128ACDF

Fabr. N.º:

MR25H128ACDF

Fabr.:

Everspin Technologies

Descripción:

MRAM 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI

Hoja de datos:

MR25H128ACDF Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	4,98 €	4,98 €
	4,64 €	46,40 €
	4,51 €	112,75 €
	4,39 €	219,50 €
	4,29 €	429,00 €
	4,15 €	1.037,50 €
	4,03 €	2.297,10 €
	4,01 €	4.571,40 €
	3,70 €	10.545,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Everspin Technologies
Categoría de producto:	MRAM
RoHS:
Empaquetado / Estuche:	DFN-8
Tipo de interfaz:	SPI
Tamaño de memoria:	128 kbit
Organización:	16 k x 8
Anchura de bus de datos:	8 bit
Tensión del suministro - Mín:	2.7 V
Tensión del suministro - Máx:	3.6 V
Corriente de suministro operativa:	6 mA, 23 mA
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Serie:	MR25H128A
Empaquetado:	Tray
Marca:	Everspin Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Pd (disipación de potencia):	600 mW
Tipo de producto:	MRAM
Cantidad del paquete de fábrica:	570
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Nombre comercial:	Serial I/O (SPI)

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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MR25Hxx Serial SPI MRAMs

Everspin Technologies MR25Hxx Serial SPI MRAMs offer serial EEPROM and serial Flash compatible read/write timing with no write delays and unlimited read/write endurance. Unlike other serial memories, both reads and writes can occur randomly in memory with no delay between writes.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.