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MMBT5551W-AU_R1_007A1

Name: Panjit MMBT5551W-AU_R1_007A1
Brand: Panjit
SKU: 241-MMBT5551WAUR17A1
Price: 0.18 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

241-MMBT5551WAUR17A1

Fabr. N.º:

MMBT5551W-AU_R1_007A1

Fabr.:

Panjit

Descripción:

Transistores bipolares - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR,AEC-Q101 qualified

Hoja de datos:

MMBT5551W-AU_R1_007A1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,181 €	0,18 €
	0,108 €	1,08 €
	0,067 €	6,70 €
	0,049 €	24,50 €
	0,043 €	43,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,035 €	105,00 €
	0,031 €	186,00 €
	0,026 €	234,00 €
	0,025 €	600,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	Transistores bipolares - BJT
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-323-3
Polaridad de transistor:	NPN
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	160 V
Voltaje colector-base VCBO:	180 V
Voltaje emisor-base VEBO:	6 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	200 mV
Pd (disipación de potencia):	200 mW
Producto fT para ganancia de ancho de banda:	300 MHz
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Panjit
Corriente continua del colector:	600 mA
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Colector CC/Ganancia base hfe Min:	80 V at 10 mA, 5 V
Ganancia de corriente DC hFE Máx.:	250 V at 10 mA, 5 V
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Peso unitario:	5 mg

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Hoja de datos

MMBT5551W-AU_R1_007A1 Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
ECCN:: EAR99

MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors

PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors offer a collector-emitter voltage (V_CE) of 160V and a collector current (I_C) rating of 600mA. The PANJIT MMBT5551W is suitable for a wide range of electronic applications. This transistor is environmentally friendly, lead-free, and complies with EU RoHS 2.0 regulations. Additionally, it features a green molding compound that meets the IEC 61249 standard.