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MASTERGAN6TR

Name: STMicroelectronics MASTERGAN6TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN6TR
Price: 8.7 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

511-MASTERGAN6TR

Fabr. N.º:

MASTERGAN6TR

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

Controlador de puerta 650 V enhancement mode GaN High power density half-bridge with high voltage driver

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	8,70 €	8,70 €
	6,73 €	67,30 €
	6,42 €	160,50 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	6,42 €	19.260,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Controlador de puerta
RoHS:
Producto:	Gate Driver
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	QFN-35
Número de salidas:	1 Output
Tensión del suministro - Mín:	9 V
Tensión del suministro - Máx:	18 V
Tiempo de establecimiento:	4 ns
Tiempo de caída:	4 ns
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Serie:	MASTERGAN6
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	SG
Kit de desarrollo:	EVLMG6
Tiempo de retraso de apagado máximo:	70 ns
Tiempo de retraso de encendido máximo:	70 ns
Tiempo de apagado (máx.):	70 ns
Pd (disipación de potencia):	20 mW
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retardo de propagación (máx.):	105 ns
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	140 mOhms
Apagado:	Shutdown
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si
Peso unitario:	194 mg

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MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an R_DS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.