MASTERGAN5

STMicroelectronics
511-MASTERGAN5
MASTERGAN5

Fabr.:

Descripción:
Controlador de puerta High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power

Modelo ECAD:
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En existencias: 207

Existencias:
207 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Las cantidades mayores que 207 estarán sujetas a requisitos de pedido mínimo.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
6,22 € 6,22 €
4,80 € 48,00 €
4,45 € 111,25 €
4,02 € 402,00 €
3,84 € 960,00 €
3,58 € 1.790,00 €
3,24 € 3.240,00 €
3,15 € 7.875,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Controlador de puerta
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
4 Output
4 A
3.3 V
15 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TH
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: Gate Drivers
Apagado: Shutdown
Cantidad del paquete de fábrica: 1560
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Tecnología: GaN
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.