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MAPC-A3008-AB000

Name: MACOM MAPC-A3008-AB000
Brand: MACOM
SKU: 937-MAPC-A3008-AB000
Price: 329.44 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

937-MAPC-A3008-AB000

Fabr. N.º:

MAPC-A3008-AB000

Fabr.:

MACOM

Descripción:

FET de GaN Transistor, DC-6.0GHz, 35W, G28V5

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

MAPC-A3008-AB000 Hoja de datos (PDF)

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	329,44 €	329,44 €
	284,90 €	2.849,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	440166
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	84 V
Id: corriente de drenaje continuo:	6 A
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 2 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Marca:	MACOM
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Ganancia:	10.9 dB
Frecuencia operativa máxima:	6 GHz
Frecuencia operativa mínima:	DC
Energía de salida:	47.8 dBm
Producto:	GaN FETs
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	1
Subcategoría:	Transistors
Tipo:	GaN on SiC Amplifier

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USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.