Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

MAPC-A3005-AS000

Name: MACOM MAPC-A3005-AS000
Brand: MACOM
SKU: 937-MAPC-A3005-AS000
Price: 180.91 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

937-MAPC-A3005-AS000

Fabr. N.º:

MAPC-A3005-AS000

Fabr.:

MACOM

Descripción:

FET de GaN Transistor,GaN,5W,DC-6GHz,2.16mm,Pill

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

MAPC-A3005-AS000 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre MACOM MAPC-A3005-AS000

En existencias: 80

Existencias:: 80 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 26 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	180,91 €	180,91 €
	154,18 €	1.541,80 €
100	Cotización

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	440109-2
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	84 V
Id: corriente de drenaje continuo:	750 mA
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 2 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Marca:	MACOM
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Ganancia:	14 dB
Frecuencia operativa máxima:	8 GHz
Frecuencia operativa mínima:	DC
Energía de salida:	39.2 dBm
Producto:	GaN FETs
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	1
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN, SiC
Tipo:	GaN on SiC Transistor

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

MAPC-A3005-AS000 Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.