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MAPC-A3005-ADTR1

Name: MACOM MAPC-A3005-ADTR1
Brand: MACOM
SKU: 937-MAPC-A3005-ADTR1
Price: 96.18 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

937-MAPC-A3005-ADTR1

Fabr. N.º:

MAPC-A3005-ADTR1

Fabr.:

MACOM

Descripción:

FET de GaN Transistor, DC - 6 GHz, 8W, G28V5-1C

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

MAPC-A3005-ADTR1 Hoja de datos (PDF)

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	96,18 €	96,18 €
	80,80 €	808,00 €
	72,82 €	7.282,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	72,82 €	72.820,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PDFN-12
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	84 V
Id: corriente de drenaje continuo:	1.4 A
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 2 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Pd (disipación de potencia):	8 W
Marca:	MACOM
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Ganancia:	19 dB
Frecuencia operativa máxima:	6 GHz
Frecuencia operativa mínima:	DC
Sensibles a la humedad:	Yes
Energía de salida:	39.9 dBm
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	GaN FETs
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN, SiC
Tipo:	SiC Transistor

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Hoja de datos

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USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.