KTDM4G4B826BGCEAT

Name: SMART KTDM4G4B826BGCEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G4B826BGCEAT
Price: 9.39 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

473-M4G4B826BGCEAT

Fabr. N.º:

KTDM4G4B826BGCEAT

Fabr.:

SMARTsemi

Descripción:

DRAM DRAM DDR4 4GB 512MX8 2666Mbps 1.2V 78-FBGA Commercial

Hoja de datos:

KTDM4G4B826BGCEAT Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre SMARTsemi KTDM4G4B826BGCEAT

En existencias: 188

Existencias:: 188 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	9,39 €	9,39 €
	8,73 €	87,30 €
	8,46 €	211,50 €
	8,26 €	413,00 €
	8,06 €	806,00 €
	7,80 €	1.638,00 €
	7,60 €	3.192,00 €
	7,40 €	7.770,00 €
2.520	Cotización

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SMART
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM - DDR4
Tamaño de memoria:	4 Gbit
Anchura de bus de datos:	8 bit
Frecuencia máxima de reloj:	1.333 GHz
Empaquetado / Estuche:	FBGA-78
Organización:	512 M x 8
Tensión del suministro - Mín:	1.14 V
Tensión del suministro - Máx:	1.26 V
Temperatura operativa mínima:	0 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Serie:	KTDM
Empaquetado:	Tray
Marca:	SMARTsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad del paquete de fábrica:	210
Subcategoría:	Memory & Data Storage

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

KTDM4G4B826BGCEAT Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of V_DD = 1.2V ± 5%, and V_PP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).