KTDM4G4B626BGIEAT

Name: SMART KTDM4G4B626BGIEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G4B626BGIEAT
Price: 10.05 EUR
Availability: OutOfStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

473-M4G4B626BGIEAT

Fabr. N.º:

KTDM4G4B626BGIEAT

Fabr.:

SMARTsemi

Descripción:

DRAM DRAM DDR4 4GB 256MX16 2666Mbps 1.2V 96-FBGA Industrial

Hoja de datos:

KTDM4G4B626BGIEAT Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre SMARTsemi KTDM4G4B626BGIEAT

Disponibilidad

Existencias:: No en almacén

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 3 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	10,05 €	10,05 €
	9,34 €	93,40 €
	9,06 €	226,50 €
	8,84 €	442,00 €
	8,62 €	862,00 €
	8,34 €	1.651,32 €
	8,13 €	4.829,22 €
	7,92 €	9.408,96 €
2.574	Cotización

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SMART
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM - DDR4
Tamaño de memoria:	4 Gbit
Anchura de bus de datos:	16 bit
Frecuencia máxima de reloj:	1.333 GHz
Empaquetado / Estuche:	FBGA-96
Organización:	256 M x 16
Tensión del suministro - Mín:	1.14 V
Tensión del suministro - Máx:	1.26 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Serie:	KTDM
Empaquetado:	Tray
Marca:	SMARTsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad del paquete de fábrica:	198
Subcategoría:	Memory & Data Storage

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

KTDM4G4B626BGIEAT Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of V_DD = 1.2V ± 5%, and V_PP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).