KTDM4G3C818BGIEAT

Name: SMART KTDM4G3C818BGIEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G3C818BGIEAT
Price: 10.75 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

473-M4G3C818BGIEAT

Fabr. N.º:

KTDM4G3C818BGIEAT

Fabr.:

SMARTsemi

Descripción:

DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Industrial

Hoja de datos:

KTDM4G3C818BGIEAT Hoja de datos (PDF)

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	9,22 €	922,00 €
	8,91 €	1.871,10 €
	8,69 €	3.649,80 €
	8,47 €	8.893,50 €
2.520	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SMART
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM - DDR3L
Tamaño de memoria:	4 Gbit
Anchura de bus de datos:	8 bit
Frecuencia máxima de reloj:	933 MHz
Empaquetado / Estuche:	FBGA-78
Organización:	512 M x 8
Tensión del suministro - Mín:	1.283 V
Tensión del suministro - Máx:	1.575 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Serie:	KTDM
Empaquetado:	Tray
Marca:	SMARTsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad del paquete de fábrica:	210
Subcategoría:	Memory & Data Storage

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CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.