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IXSG60N65L2K

Name: IXYS IXSG60N65L2K
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSG60N65L2K
Price: 7.77 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

747-IXSG60N65L2K

Fabr. N.º:

IXSG60N65L2K

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET de SiC SiC MOSFET in TOLL

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

IXSG60N65L2K Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

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-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	7,77 €	7,77 €
	5,65 €	56,50 €
	4,70 €	470,00 €
	4,20 €	2.100,00 €
	3,73 €	3.730,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	3,73 €	7.460,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TTOLL-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	60 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	53 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 5 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.5 V
Qg (carga de compuertas):	94.7 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	249 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	8 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	14.1 ns
Serie:	IXSxNxL2Kx
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	17 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	7 ns

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IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [R_DS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (I_D) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (V_DSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).