ISC300N20NM6ATMA1

Infineon Technologies
726-ISC300N20NM6ATMA
ISC300N20NM6ATMA1

Fabr.:

Descripción:
MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Novedad de este fabricante.
Modelo ECAD:
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En existencias: 292

Existencias:
292 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
8 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
3,15 € 3,15 €
1,98 € 19,80 €
1,42 € 142,00 €
1,08 € 540,00 €
1,01 € 1.010,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
1,01 € 5.050,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SON-8
N-Channel
1 Channel
200 V
44 A
30 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
17 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Cut Tape
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: AT
Tiempo de caída: 6 ns
Transconductancia delantera: mín.: 22 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 7 ns
Serie: OptiMOS 6
Cantidad del paquete de fábrica: 5000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 11 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 8 ns
Alias de parte #: ISC300N20NM6 SP006070094
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen las innovaciones más recientes y el rendimiento más elevado. La familia OptiMOS 6 utiliza una tecnología de lámina fina que permite obtener beneficios importantes en el rendimiento. En comparación con productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen un RDS(ON) un 30 % inferior y están optimizados para rectificación síncrona.

OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs are N-channel normal level MOSFETs available in PG-TO263-3, PG-TO220-3, and PG-HDSOP-16 packages. These MOSFETs feature excellent gate charge x RDS(on) product (FOM), very low reverse recovery charge (Qrr), and low on‑resistance RDS(on). The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs operate at 175°C temperature. These MOSFETs are halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 and Moisture Sensitivity Level (MSL 1) classified according to J‑STD-020 standards. The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs are ideal for renewables, motor control, audio amplifiers, and industrial applications.