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ISC034N08NM7ATMA1

Name: Infineon ISC034N08NM7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC034N08NM7ATMA
Price: 2.19 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-ISC034N08NM7ATMA

Fabr. N.º:

ISC034N08NM7ATMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

ISC034N08NM7ATMA1 Hoja de datos (PDF)

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	1,40 €	14,00 €
	0,955 €	95,50 €
	0,796 €	398,00 €
	0,737 €	737,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	0,689 €	3.445,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PG-TDSON-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	122 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	3.4 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.2 V
Qg (carga de compuertas):	34 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	115 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	3.4 ns
Transconductancia delantera: mín.:	50 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	2.5 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	13.8 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	8.6 ns
Alias de parte #:	ISC034N08NM7 SP006167256

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOM_oss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.