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IS66WVR8M8FBLL-104NLI

Name: ISSI IS66WVR8M8FBLL-104NLI
Brand: ISSI
SKU: 870-WVR8M8FBLL104NLI
Price: 4.52 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

870-WVR8M8FBLL104NLI

Fabr. N.º:

IS66WVR8M8FBLL-104NLI

Fabr.:

ISSI

Descripción:

DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS

Ciclo de vida:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ISSI
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	PSRAM (Pseudo SRAM)
Tamaño de memoria:	64 Mbit
Anchura de bus de datos:	8 bit
Frecuencia máxima de reloj:	104 MHz
Empaquetado / Estuche:	SOIC-8
Organización:	8 M x 8
Tiempo de acceso:	7 ns
Tensión del suministro - Mín:	2.7 V
Tensión del suministro - Máx:	3.6 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Marca:	ISSI
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad del paquete de fábrica:	100
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro (máx.):	15 mA

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CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.