IS66WVE2M16EALL-70BLI

ISSI
870-E2M16EALL70BLI
IS66WVE2M16EALL-70BLI

Fabr.:

Descripción:
SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V 1.95V, VDDQ 1.7V 1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

Modelo ECAD:
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En existencias: 310

Existencias:
310 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
12 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1   Máximo: 200
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
6,66 € 6,66 €
6,19 € 61,90 €
6,00 € 150,00 €
5,87 € 293,50 €
5,73 € 573,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
ISSI
Categoría de producto: SRAM
RoHS:  
32 Mbit
2 M x 16
70 ns
Parallel
1.95 V
1.7 V
30 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
Marca: ISSI
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: SRAM
Serie: IS66WVE2M16EALL
Cantidad del paquete de fábrica: 480
Subcategoría: Memory & Data Storage
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8542324500
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.