IS42S32800J-7BLI

ISSI
870-42S32800J7BLI
IS42S32800J-7BLI

Fabr.:

Descripción:
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT

Modelo ECAD:
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Plazo de producción de fábrica:
10 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1   Máximo: 182
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
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Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
8,30 € 8,30 €
7,71 € 77,10 €
7,47 € 186,75 €
7,30 € 365,00 €
7,18 € 718,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
ISSI
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM
256 Mbit
32 bit
143 MHz
BGA-90
8 M x 32
6.5 ns
3 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
IS42S32800J
Marca: ISSI
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad del paquete de fábrica: 240
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro (máx.): 170 mA
Peso unitario: 1,865 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320024
JPHTS:
854232021
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM

ISSI 3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM provides a wide selection of SDR SDRAM with densities from 16Mbit to 512Mbit in 1Mx16, 4Mx16, and 8Mx16 organizations. Each device features a single supply voltage (3.3V +/-0.3V), standard SDRAM clock timing, LVTTL compatible inputs, programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, auto-refresh and self-refresh modes. ISSI 3.3V SDR Synchronous DRAM has a programmable CAS latency of 2 or 3. Typical applications for these devices include wireless access points, base stations, routers, network storage, energy management, industrial controls, car infotainment, and automotive telematics.