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IPB95R450PFD7ATMA1

Name: Infineon IPB95R450PFD7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB95R450PFD7ATM
Price: 2.75 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

726-IPB95R450PFD7ATM

Fabr. N.º:

IPB95R450PFD7ATMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET LOW POWER_NEW

Hoja de datos:

IPB95R450PFD7ATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	0,946 €	946,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	950 V
Id: corriente de drenaje continuo:	13.3 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	450 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.5 V
Qg (carga de compuertas):	43 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	104 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	DE
Tiempo de caída:	4.7 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	8.7 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	45 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	9 ns
Alias de parte #:	IPB95R450PFD7 SP005547014

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Hoja de datos

IPB95R450PFD7ATMA1 Hoja de datos (PDF)

ROHS Declaration of Compliance (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).