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IPB068N20NM6ATMA1

Name: Infineon IPB068N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB068N20NM6ATMA
Price: 7.03 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IPB068N20NM6ATMA

Fabr. N.º:

IPB068N20NM6ATMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET IFX FET >150 - 400V

Hoja de datos:

IPB068N20NM6ATMA1 Hoja de datos (PDF)

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	7,03 €	7,03 €
	4,83 €	48,30 €
	3,70 €	370,00 €
	3,62 €	1.810,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	3,38 €	3.380,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	200 V
Id: corriente de drenaje continuo:	134 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	6.3 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.7 V
Qg (carga de compuertas):	73 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	300 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	AT
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	29 ns
Transconductancia delantera: mín.:	32 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	56 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	37 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	17 ns
Alias de parte #:	IPB068N20NM6 SP005562848

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs are N-channel normal level MOSFETs available in PG-TO263-3, PG-TO220-3, and PG-HDSOP-16 packages. These MOSFETs feature excellent gate charge x R_DS(on) product (FOM), very low reverse recovery charge (Q_rr), and low on‑resistance R_DS(on). The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs operate at 175°C temperature. These MOSFETs are halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 and Moisture Sensitivity Level (MSL 1) classified according to J‑STD-020 standards. The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs are ideal for renewables, motor control, audio amplifiers, and industrial applications.

MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen las innovaciones más recientes y el rendimiento más elevado. La familia OptiMOS 6 utiliza una tecnología de lámina fina que permite obtener beneficios importantes en el rendimiento. En comparación con productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen un R_DS(ON) un 30 % inferior y están optimizados para rectificación síncrona.