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IMZA65R039M1HXKSA1

Name: Infineon IMZA65R039M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA65R039M1HXKS
Price: 8.11 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IMZA65R039M1HXKS

Fabr. N.º:

IMZA65R039M1HXKSA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Hoja de datos:

IMZA65R039M1HXKSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	8,11 €	8,11 €
	4,91 €	49,10 €
	4,58 €	458,00 €
	4,49 €	2.155,20 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	50 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	50 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 5 V, + 23 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5.7 V
Qg (carga de compuertas):	41 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	176 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Cantidad del paquete de fábrica:	240
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Alias de parte #:	IMZA65R039M1H SP005423796

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650V combines the physical strength of silicon carbide with features amplifying device performance, reliability, and ease of use. With its state-of-the-art trench semiconductor process, the CoolSiC™ MOSFET delivers the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. CoolSiC is the perfect fit for use in high-temperature and harsh environment applications.

650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.