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IKW40N120T2

Name: Infineon IKW40N120T2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW40N120T2
Price: 6.24 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IKW40N120T2

Fabr. N.º:

IKW40N120T2

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

IGBT LOW LOSS DuoPack 1200V 40A

Ciclo de vida:

NRND:

No se recomienda para nuevos diseños.

Hoja de datos:

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Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

IKW40N120T2FKSA1

Embalaje:

Tube

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

6,57 €

Min:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
Tecnología:	Si
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.75 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	75 A
Pd (disipación de potencia):	480 W
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	Trenchstop IGBT2
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Corriente de fuga puerta-emisor:	200 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	240
Subcategoría:	IGBTs
Nombre comercial:	TRENCHSTOP
Alias de parte #:	IKW4N12T2XK SP000244962 IKW40N120T2FKSA1
Peso unitario:	38 g

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ECCN:: EAR99

IGBT Gen8 de 1200 V de International Rectifier

Los IGBT Gen8 de 1200 V de International Rectifier incluyen la tecnología de última generación Trench Gate Field-Stop de IR que se ofrece en paquetes TO-247 estándar del sector para proporcionar un rendimiento de primer orden para aplicaciones industriales y de ahorro de energía. La tecnología Gen8 ofrece un apagado más suave perfecto para aplicaciones de accionamiento de motor, lo que minimiza dv/dt para reducir las EMI y la sobretensión, lo que aumenta la fiabilidad y la robustez. Estos IGBT Gen8 ofrecen valores nominales de corriente de 8 A hasta 60 A con VCE(ON) típico de 1,7 V, y un valor nominal de cortocircuitos de 10 µs para reducir la disipación de potencia, lo que da como resultado una mayor densidad de potencia y solidez. Mediante el uso de la tecnología de placa fina, los IGBT Gen8 de 1200 V ofrecen una mayor resistencia térmica y una temperatura de unión máxima de hasta 175 °C.
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