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IGL65R080D2XUMA1

Name: Infineon IGL65R080D2XUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGL65R080D2XUMA1
Price: 4.77 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IGL65R080D2XUMA1

Fabr. N.º:

IGL65R080D2XUMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

IGL65R080D2XUMA1 Hoja de datos (PDF)

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	4,77 €	4,77 €
	3,31 €	33,10 €
	2,37 €	237,00 €
	2,20 €	1.100,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	1,87 €	5.610,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad de transistor:	HEMT
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	18 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	100 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.6 V
Qg (carga de compuertas):	25 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	81 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolGaN
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	DE
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	17 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	GaN FETs
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de establecimiento:	8 ns
Serie:	CoolGaN G5
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	Si
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	11 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	8 ns
Alias de parte #:	IGL65R080D2 SP006065174

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 650V G5 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 Transistors feature highly efficient gallium nitride (GaN) transistor technology for power conversion. The 650V G5 family addresses consumer, data center, industrial, and solar application challenges. The transistors offer improved system efficiency and power density with ultra-fast switching capability. The CoolGaN technology provides discrete and integrated solutions designed to enhance overall system performance. The Infineon Technologies CoolGaN 650V G5 Transistors enable high operating frequencies and reduce EMI ratings. The transistors are ideal for power distribution, switch-mode power supplies (SMPS), telecommunications, and other industrial applications.