IGI65D1414A3MSXUMA1
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Fabr.:
Descripción:
FET de GaN Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
En existencias: 2.678
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Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
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18 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Precio (EUR)
| Cant. | Precio unitario |
Precio total
|
|---|---|---|
| 6,10 € | 6,10 € | |
| 4,12 € | 41,20 € | |
| 3,07 € | 307,00 € | |
| 2,92 € | 2.920,00 € | |
| Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000) | ||
| 2,61 € | 7.830,00 € | |
Hoja de datos
- USHTS:
- 8542390090
- MXHTS:
- 8542399999
- ECCN:
- EAR99
España
