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IGB070S10S1XTMA1

Name: Infineon IGB070S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGB070S10S1XTMA1
Price: 2.62 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IGB070S10S1XTMA1

Fabr. N.º:

IGB070S10S1XTMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

FET de GaN CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	2,62 €	2,62 €
	1,87 €	18,70 €
	1,35 €	135,00 €
	1,09 €	545,00 €
	1,04 €	1.040,00 €
	1,02 €	2.550,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	0,878 €	4.390,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	38 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	7 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	6.5 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.9 V
Qg (carga de compuertas):	6.1 nC
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	23 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolGaN
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	DE
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	Transistors
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	60 V - 120 V G3
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	P-Channel
Tipo:	CoolGaN
Alias de parte #:	IGB070S10S1 SP006039129

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 100V G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 100V G3 Transistors are normally OFF, enhancement-mode (e-mode) power transistors in compact housing. These transistors feature low on-state resistance, making the devices an ideal choice for reliable performance in demanding high-current and high-voltage applications. The CoolGaN transistors are designed to improve thermal management. Typical applications include audio amplifier solutions, photovoltaic, telecommunication infrastructure, e‑Mobility, robotics, and drones.

CoolGaN™ G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ G3 Transistors are designed to deliver superior performance in high-power density applications. These transistors feature a very low on-state resistance, enabling efficient power conversion and reduced energy losses. Available in four voltage options (60V, 80V, 100V, or 120V), the Infineon CoolGaN G3 Transistors deliver ultra-fast switching with an ultra-low gate/output charge. The transistors are housed in compact PQFN packages, which enhance thermal management and support dual-side cooling, ensuring reliable operation even under demanding conditions. These features make CoolGaN G3 Transistors a top choice for applications such as telecom, data center power supplies, and industrial power systems.