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IAUCN08S7L013ATMA1

Name: Infineon IAUCN08S7L013ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IAUCN08S7L013ATM
Price: 3.78 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IAUCN08S7L013ATM

Fabr. N.º:

IAUCN08S7L013ATMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	3,78 €	3,78 €
	2,50 €	25,00 €
	1,76 €	176,00 €
	1,57 €	785,00 €
	1,54 €	1.540,00 €
	1,46 €	3.650,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	1,46 €	7.300,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PG-TDSON-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	293 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.26 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	120 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	219 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	35 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	14 ns
Serie:	OptiMOS 7
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	102.4 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	15 ns
Alias de parte #:	IAUCN08S7L013 SP006059915

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies is introducing its leading OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs technology with remarkably low on-state resistance, reduced switching losses, and enhanced ruggedness. OptiMOS 7 redefines the landscape of automotive power MOSFETs. The OptiMOS 7 MOSFET technology from Infineon establishes a new standard for automotive applications, allowing performance and efficiency while addressing the challenges of tomorrow's automotive systems.

MOSFET de potencia automotriz OptiMOS™ 7 de un voltaje nominal de 80 V

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 80V Automotive Power MOSFETs are built with Infineon’s leading-edge, power semiconductor technology. These MOSFETs are designed specifically for the high performance, quality, and robustness needed for demanding automotive applications. The OptiMOS™ 7 80V MOSFETs operate with a ±20V_GS gate source voltage and a temperature range of -55°C to 175°C. These MOSFETs are offered in top-side cooled SSO10T 5x7mm2 SMD package. The SSO10T package helps users achieve advancements in cooling and power density. The 80V power MOSFETs are MSL-1 rated, RoHS compliant, and 100% avalanche tested. These power MOSFETs are ideal for general automotive applications.