Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

GP2T040A120U

Name: SemiQ GP2T040A120U
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T040A120U
Price: 9.65 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

148-GP2T040A120U

Fabr. N.º:

GP2T040A120U

Fabr.:

SemiQ

Descripción:

MOSFET de SiC SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L

Hoja de datos:

GP2T040A120U Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre SemiQ GP2T040A120U

En existencias: 2

Existencias:: 2 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	9,65 €	9,65 €
	5,77 €	57,70 €
	5,26 €	631,20 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	63 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	37 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	118 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	322 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	SemiQ
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	14 ns
Transconductancia delantera: mín.:	16 S
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	14 ns
Serie:	GP2T040A120
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	22 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	15 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

GP2T040A120U Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GP2T040A120x SiC MOSFETs

SemiQ GP2T040A120x SiC MOSFETs benefit many applications, including Power Factor Correction, DC-DC Converter Primary Switching, and Synchronous rectification. The GP2T040A120x when combined with Silicon Carbide Schottky diodes offers optimal performance that can be achieved without the trade-offs made with Silicon devices. EV Charging, Solar/Wind, Industrial Controls, and HVAC systems benefit from the increased performance achieved with SemiQ SiC MOSFETs.