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GCMX080A120B2H2P

Name: SemiQ GCMX080A120B2H2P
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX080A120B2H2P
Price: 28.48 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

148-GCMX080A120B2H2P

Fabr. N.º:

GCMX080A120B2H2P

Fabr.:

SemiQ

Descripción:

Módulos MOSFET 1200V, 80mohm SiC MOSFET Full Bridge Module

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

GCMX080A120B2H2P Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	28,48 €	1.139,20 €
	25,63 €	3.075,60 €
1.000	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Press Fit
Empaquetado / Estuche:	B2
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	4 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	27 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	100 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 5 V, + 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	119 W
Serie:	GCMX
Empaquetado:	Bulk
Marca:	SemiQ
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	12 ns
Altura:	15 mm
Longitud:	62.8 mm
Producto:	Modules
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	5 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	40
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Full Bridge Module
Tiempo típico de retraso de apagado:	22 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	11 ns
Vf - Tensión delantera:	4.2 V
Anchura:	33.8 mm

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Hoja de datos

GCMX080A120B2H2P Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Módulos de puente completo MOSFET SiC GCMX de 1200 V

Los módulos de puente completo MOSFET SiC GCMX de 1200 V de SemiQ ofrecen pérdidas de conmutación bajas, una resistencia térmica de unión a carcasa baja y un montaje muy resistente y sencillo. Estos módulos se montan directamente en el disipador (paquete aislado) e incluyen una referencia Kelvin para un funcionamiento estable. Todas las piezas han sido probadas rigurosamente para soportar tensiones superiores a 1350 V. La característica distintiva de estos módulos es la robusta tensión de drenaje a fuente de 1200 V. Los módulos de puente completo GCMX funcionan con una temperatura de unión de 175°C y cumplen lo establecido en la directiva RoHS. Entre las aplicaciones típicas se incluyen inversores fotovoltaicos, cargadores de baterías, sistemas de almacenamiento de energía y convertidores de CC a CC de alta tensión.