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GCMX020B120S1-E1

Name: SemiQ GCMX020B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX020B120S1-E1
Price: 27.35 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

148-GCMX020B120S1-E1

Fabr. N.º:

GCMX020B120S1-E1

Fabr.:

SemiQ

Descripción:

Módulos MOSFET SiC 1200V 20mohm MOSFET SOT-227

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	27,35 €	27,35 €
	20,13 €	201,30 €
	19,98 €	2.397,60 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	SOT-227-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	113 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	28 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 5 V, + 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	395 W
Serie:	GCMX
Empaquetado:	Tube
Marca:	SemiQ
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	18 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	8 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	SiC MOSFET Power Module
Tiempo típico de retraso de apagado:	42 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	21 ns
Vf - Tensión delantera:	3.7 V

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Atributos seleccionados: 0

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.