Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

FS1150R08A8P3CHPSA1

Name: Infineon FS1150R08A8P3CHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS1150R08A8P3CHP
Price: 558.07 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

726-FS1150R08A8P3CHP

Fabr. N.º:

FS1150R08A8P3CHPSA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos HybridPACK Drive G2 module

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

FS1150R08A8P3CHPSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Infineon Technologies FS1150R08A8P3CHPSA1

En existencias: 3

Existencias:: 3 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 4 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	558,07 €	558,07 €
	474,98 €	5.699,76 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Producto:	Power Modules
Tipo:	Drive G2 Module
Tecnología:	SiC
Vf - Tensión delantera:	1.76 V
Vr - Tensión inversa:	400 V
Estilo de montaje:	Press Fit
Empaquetado / Estuche:	DIP-7
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 V
Serie:	HybridPACK
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Sixpack
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	DE
Tiempo de caída:	91 ns
Id: corriente de drenaje continuo:	600 A
Pd (disipación de potencia):	1 kW
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Tiempo de establecimiento:	50 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	6
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tiempo típico de retraso de apagado:	929 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	222 ns
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	750 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5.8 V
Alias de parte #:	FS1150R08A8P3C SP006071554

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

FS1150R08A8P3CHPSA1 Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HybridPACK™ Drive G2 Modules

Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2 Modules are compact power modules designed for hybrid and electric vehicle traction. The Infineon Technologies G2 modules offer scalable performance levels using Si or SiC technologies and different chipsets, maintaining the same module size. Introduced in 2017 with silicon EDT2 technology, it was optimized for efficiency in real-world driving. In 2021, a CoolSiC™ version was introduced, offering higher cell density and better performance. In 2023, the second generation, HybridPACK Drive G2, was launched with EDT3 (Si IGBT) and CoolSiC™ G2 MOSFET technologies, providing ease of use and integration options for sensors, enabling up to 300kW performance within 750V and 1200V classes.