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FFSP1065B

Name: onsemi FFSP1065B
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSP1065B
Price: 3.36 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-FFSP1065B

Fabr. N.º:

FFSP1065B

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SIC DIODE 650V 10A

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-2
Configuración:	Single
If - Corriente delantera:	10 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión delantera:	1.38 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	45 A
Ir - Corriente inversa:	40 uA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	FFSP1065B
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Pd (disipación de potencia):	75 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	EliteSiC
Vr - Tensión inversa:	650 V
Peso unitario:	3,698 g

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Hoja de datos

FFSP1065B Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

FFSP SiC Schottky Diodes

onsemi FFSP SiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes are designed to leverage the advantages of Silicon Carbide over Silicon (Si) devices. FFSP SiC Schottky Diodes feature drastically higher forward surge capability, lower reverse leakage, and no reverse recovery current. These SiC Schottky Diodes also feature temperature-independent switching characteristics and excellent thermal performance. This results in improved system efficiency, faster-operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.