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DMG4800LFG-7

Name: Diodes Incorporated DMG4800LFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMG4800LFG-7
Price: 0.65 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

621-DMG4800LFG-7

Fabr. N.º:

DMG4800LFG-7

Fabr.:

Diodes Incorporated

Descripción:

MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V/4.82 - 7.44A

Hoja de datos:

DMG4800LFG-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 50.992
Plazo de producción de fábrica:: 12

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-,-- €

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,654 €	0,65 €
	0,402 €	4,02 €
	0,249 €	24,90 €
	0,194 €	97,00 €
	0,172 €	172,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,144 €	432,00 €
	0,132 €	792,00 €
	0,131 €	1.179,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-3030-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	7.44 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	11 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	800 mV
Qg (carga de compuertas):	9.47 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	940 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	8.55 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	4.5 ns
Serie:	DMG4800
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	26.33 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	5.03 ns
Peso unitario:	13 mg

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

DMG4800LFG-7 Hoja de datos (PDF)

PCN

PRODUCT CHANGE NOTICE (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMG44x & DMG48x Enhancement Mode MOSFETs

The Diodes Inc. DMG44x and DMG48x Enhancement Mode MOSFETs are high-reliability N-channel enhancement mode MOSFETs. These DMG44x and DMG48x enhancement mode MOSFETs feature low on-resistance, low input capacitance, fast switching speed, and low input/output leakage.