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DMG1016V-7

Name: Diodes Incorporated DMG1016V-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMG1016V-7
Price: 0.41 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

621-DMG1016V-7

Fabr. N.º:

DMG1016V-7

Fabr.:

Diodes Incorporated

Descripción:

MOSFET MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563

Hoja de datos:

DMG1016V-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,413 €	0,41 €
	0,222 €	2,22 €
	0,158 €	15,80 €
	0,121 €	60,50 €
	0,108 €	108,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,08 €	240,00 €
	0,072 €	432,00 €
	0,071 €	639,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-563-6
Polaridad de transistor:	N-Channel, P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	640 mA, 870 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	400 mOhms, 700 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 6 V, 6 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	500 mV
Qg (carga de compuertas):	736.6 pC, 622.4 pC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	530 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	12.3 ns, 20.7 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	7.4 ns, 8.1 ns
Serie:	DMG1016
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	26.7 ns, 28.4 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	5.1 ns, 5.1 ns
Peso unitario:	6 mg

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Hoja de datos

DMG1016V-7 Hoja de datos (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

DMx Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMx series enhancement mode MOSFETs feature low on-resistance and fast switching, making them ideal for high efficiency power management applications. Diodes Incorporated DMx enhancement mode MOSFETs are also optimized for motor control, backlighting, and DC-DC converter applications. Diodes Incorporated DMx series includes complementary dual, complementary pair, P-channel, and N-channel enhancement mode MOSFETs.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.