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DIW065SIC049

Name: Diotec Semiconductor DIW065SIC049
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DIW065SIC049
Price: 12.95 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

637-DIW065SIC049

Fabr. N.º:

DIW065SIC049

Fabr.:

Diotec Semiconductor

Descripción:

MOSFET de SiC

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

DIW065SIC049 Hoja de datos (PDF)

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	12,95 €	12,95 €
	7,94 €	79,40 €
	6,84 €	820,80 €
	6,62 €	3.376,20 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diotec Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	60 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	49 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 5 V, + 18 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	128 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	550 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	DIW065SIC049
Marca:	Diotec Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	9 ns
Transconductancia delantera: mín.:	23 S
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	35 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	22 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	12 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.