CDF56G6517N TR13 PBFREE

Name: Central Semiconductor CDF56G6517N TR13 PBFREE
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CDF56G6517NTR13P
Price: 4.87 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

610-CDF56G6517NTR13P

Fabr. N.º:

CDF56G6517N TR13 PBFREE

Fabr.:

Central Semiconductor

Descripción:

FET de GaN 650V, 17A, N-Channel GaN FET

Hoja de datos:

CDF56G6517N TR13 PBFREE Hoja de datos (PDF)

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	3,75 €	37,50 €
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	2,65 €	2.650,00 €
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	2,31 €	5.775,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Central Semiconductor
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	17 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	140 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 1.4 V, + 7 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	3.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	113 W
Modo canal:	Depletion
Marca:	Central Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	4 ns
Frecuencia operativa máxima:	100 kHz
Frecuencia operativa mínima:	0 Hz
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de establecimiento:	5 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tiempo típico de retraso de apagado:	4 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	3 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low R_DS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.