CCSPG1060N TR PBFREE

Name: Central Semiconductor CCSPG1060N TR PBFREE
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CCSPG1060NTRPBFR
Price: 4.81 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

610-CCSPG1060NTRPBFR

Fabr. N.º:

CCSPG1060N TR PBFREE

Fabr.:

Central Semiconductor

Descripción:

FET de GaN 100V, 60A, N-Channel Chip Scale GaNFET

Hoja de datos:

CCSPG1060N TR PBFREE Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Central Semiconductor CCSPG1060N TR PBFREE

En existencias: 1.369

Existencias:: 1.369 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	4,81 €	4,81 €
	3,69 €	36,90 €
	2,67 €	267,00 €
	2,28 €	2.280,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	2,28 €	3.420,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Central Semiconductor
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	CSP-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	60 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	5.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 4 V, + 6 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	9.2 nC
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.1 W
Marca:	Central Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

CCSPG1060N TR PBFREE Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low R_DS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.