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C3M0160120K1

Name: Wolfspeed C3M0160120K1
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0160120K1
Price: 6.28 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

941-C3M0160120K1

Fabr. N.º:

C3M0160120K1

Fabr.:

Wolfspeed

Descripción:

MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial

Hoja de datos:

C3M0160120K1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4LP
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	17.9 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	280 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 4 V, + 15 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.8 V
Qg (carga de compuertas):	32 nC
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	103 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Wolfspeed
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia delantera: mín.:	4.6 S
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	9 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	Silicon Carbide Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	13 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	8 ns

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Hoja de datos

C3M0160120K1 Hoja de datos (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-10-02 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia de SiC de 1200 V y perfil bajo TO-247-4

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de 1200 V y perfil bajo TO-247-4 de Wolfspeed ofrecen conmutación de alta velocidad con capacitancias bajas y alta tensión de bloqueo con un nivel de resistencia de activación bajo. Estos MOSFET de potencia reducen las pérdidas de conmutación y los requisitos de enfriamiento, y minimizan las resonancias de compuerta. Los MOSFET de potencia de SiC de 1200 V incorporan un diodo intrínseco rápido con baja recuperación inversa (Q_rr). Estos MOSFET de potencia aumentan la densidad de potencia y la frecuencia de conmutación del sistema. Los MOSFET de potencia de SiC de 1200 V vienen en paquetes optimizados con pines de fuente de controlador independientes y están disponibles en un cuerpo de paquete TO-247-4 de perfil más bajo. Estos MOSFET de potencia están libres de halógenos y cumplen con la normativa RoHS. Las aplicaciones típicas incluyen control de motores, cargadores de baterías de vehículos eléctricos, convertidores CC/CC de alta tensión, energía solar/SAE, SAI y PSU empresarial.

MOSFET de potencia de carburo de silicio de 1200 V

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio de 1200 V de Wolfspeed establecen el estándar de rendimiento, resistencia y facilidad de diseño. Los MOSFET de Wolfspeed ofrecen una conmutación rápida y una pérdida de conmutación baja, lo que garantiza una mejora significativa en la eficiencia del sistema, la densidad de potencia y el coste total de la lista de materiales en comparación con los MOSFET de silicio e IGBT.

Silicon Carbide 1200V MOSFETs & Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) 1200V MOSFETs and Diodes create a powerful combination of higher efficiency in demanding applications. These MOSFETs and Schottky diodes are designed for high-power applications. The 1200V SiC MOSFETs feature stable Rds(on) over-temperature and avalanche ruggedness. These MOSFETs are rugged body diodes that do not require external diodes and are easier to drive as these offer a 15V gate drive. The 1200V SiC MOSFETs improve system-level efficiency, lower switching and conduction losses, and improve system-level power density.