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C3M0060065K

Name: Wolfspeed C3M0060065K
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0060065K
Price: 7.91 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

941-C3M0060065K

Fabr. N.º:

C3M0060065K

Fabr.:

Wolfspeed

Descripción:

MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial

Hoja de datos:

C3M0060065K Hoja de datos

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	37 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	60 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 4 V, + 15 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.6 V
Qg (carga de compuertas):	46 nC
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	150 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Wolfspeed
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	5 ns
Transconductancia delantera: mín.:	10 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	11 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	17 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	8 ns

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiC C3M MOSFETs

Wolfspeed SiC C3M MOSFETs enable higher switching frequencies and reduce inductor, capacitor, filter, and transformer component sizes. The Wolfspeed SiC C3M MOSFETs have higher system efficiency and reduced cooling requirements. The MOSFETs also increase power density and system switching frequency.

MOSFET de potencia de carburo de silicio de 650 V

Los MOSFET de alimentación de carburo de silicio de 650 V de Wolfspeed ofrecen niveles bajos de resistencias de estado de activación y pérdidas de conmutación para obtener una eficiencia y densidad de potencia máximas. Los MOSFET de 650 V están optimizados para aplicaciones electrónicas de alimentación de alto rendimiento, entre las que se incluyen fuentes de alimentación para servidores, sistemas de carga de vehículos eléctricos, sistemas de almacenamiento de energía, inversores solares (PV), sistemas de alimentación ininterrumpida y sistemas de gestión de baterías. En comparación con el silicio, los MOSFET de carburo de silicio de 650 V de Wolfspeed permiten un 75 % menos de pérdidas de conmutación, ½ de las pérdidas de conducción y una densidad de potencia tres veces mayor.