C3M0032120K

Wolfspeed
941-C3M0032120K
C3M0032120K

Fabr.:

Descripción:
MOSFET de SiC 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET

Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Disponibilidad

Existencias:
0

Aún puede comprar este producto como pedido pendiente.

Plazo de producción de fábrica:
19 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
11,40 € 11,40 €
6,74 € 67,40 €
6,54 € 784,80 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Wolfspeed
Categoría de producto: MOSFET de SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
63 A
32 mOhms
- 4 V, + 15 V
3.6 V
118 nC
- 40 C
+ 175 C
283 W
Enhancement
Marca: Wolfspeed
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 9 ns
Transconductancia delantera: mín.: 27 S
Empaquetado: Tube
Producto: MOSFETs
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento: 18 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tiempo típico de retraso de apagado: 32 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 25 ns
Peso unitario: 6 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SiC C3M MOSFETs

Wolfspeed SiC C3M MOSFETs enable higher switching frequencies and reduce inductor, capacitor, filter, and transformer component sizes. The Wolfspeed SiC C3M MOSFETs have higher system efficiency and reduced cooling requirements. The MOSFETs also increase power density and system switching frequency.

1200V Silicon Carbide Schottky Diodes

Wolfspeed 1200V Silicon Carbide Schottky Diodes feature Merged PiN Schottky (MPS) technology and offer greater robustness and reliability than standard Schottky diodes. These Wolfspeed 1200V diodes come in various packages that can be paralleled without the risk of thermal runaway. The diodes are ideal for solar inverters, switch mode power supplies (SMPS), uninterruptible power supplies (UPS), and AC/DC converters.

Silicon Carbide 1200V MOSFETs & Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) 1200V MOSFETs and Diodes create a powerful combination of higher efficiency in demanding applications. These MOSFETs and Schottky diodes are designed for high-power applications. The 1200V SiC MOSFETs feature stable Rds(on) over-temperature and avalanche ruggedness. These MOSFETs are rugged body diodes that do not require external diodes and are easier to drive as these offer a 15V gate drive. The 1200V SiC MOSFETs improve system-level efficiency, lower switching and conduction losses, and improve system-level power density.

MOSFET de alimentación de carburo de silicio C3M0032120K

Los MOSFET de alimentación de carburo de silicio C3M0032120K de Wolfspeed están diseñados con la tecnología de MOSFET C3M™. El C3M0032120K cuenta con una VDS de 1200 V, una ID de 63 A y 32 RDS(on). Los MOSFET de alimentación reducen las pérdidas de conmutación y minimizan las resonancias de compuerta. Los dispositivos tienen un diodo intrínseco rápido con baja recuperación inversa (Qrr). Los MOSFET C3M0032120K ofrecen una mayor densidad de potencia y frecuencia de conmutación del sistema, con requisitos de enfriamiento reducidos. Los C3M0032120K son ideales para inversores solares, accionamientos de motores EV, convertidores CC/CC de alta tensión, fuentes de alimentación en modo conmutado y conmutadores de carga.

MOSFET de potencia de carburo de silicio de 1200 V

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio de 1200 V de Wolfspeed   establecen el estándar de rendimiento, resistencia y facilidad de diseño. Los MOSFET de Wolfspeed ofrecen una conmutación rápida y una pérdida de conmutación baja, lo que garantiza una mejora significativa en la eficiencia del sistema, la densidad de potencia y el coste total de la lista de materiales en comparación con los MOSFET de silicio e IGBT.