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BUK9M11-40HX

Name: Nexperia BUK9M11-40HX
Brand: Nexperia
SKU: 771-BUK9M11-40HX
Price: 0.22 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

771-BUK9M11-40HX

Fabr. N.º:

BUK9M11-40HX

Fabr.:

Nexperia

Descripción:

MOSFET SOT1210 N-CH 40V 35A

Hoja de datos:

BUK9M11-40HX Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	LFPAK-33-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	35 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	11 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 16 V, 16 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.5 V
Qg (carga de compuertas):	21 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	50 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	4.5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	6.5 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	9.5 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	8.3 ns
Alias de parte #:	934660797115
Peso unitario:	100,200 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

LFPAK33 Trench 9 Automotive MOSFETs

Nexperia LFPAK33 Trench 9 Automotive MOSFETs are a portfolio of low R_DS(on) 40V AEC-Q101 MOSFETs for modules in demanding powertrain applications. The devices are housed in the miniature LFPAK33 package with a footprint of only 10.9mm². The LFPAK33 MOSFETs use Nexperia's Trench 9 technology. This results in a 48% reduction in R_DS(on) compared to previous devices. These devices cover a range of applications from 30W up to 300W. BUK7M3R3-40H and BUK9M3R3-40H (Standard Level and Logic Level) devices feature a 3.3mΩ R_DS(on).