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AG091FLD3HRBTL

Name: ROHM Semiconductor AG091FLD3HRBTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-AG091FLD3HRBTL
Price: 2.01 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-AG091FLD3HRBTL

Fabr. N.º:

AG091FLD3HRBTL

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET TO252 N-CH 60V 80A

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	2,01 €	2,01 €
	1,29 €	12,90 €
	0,886 €	88,60 €
	0,703 €	351,50 €
	0,666 €	666,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,639 €	1.597,50 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-252-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	80 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	7.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	22 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	76 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	11 ns
Transconductancia delantera: mín.:	12 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	15 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	50 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	18 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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