AFGH4L25T120RWD

onsemi
863-AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD

Fabr.:

Descripción:
IGBTs FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 4L

Ciclo de vida:
Nuevo en Mouser
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: IGBT
Restricción de entrega:
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RoHS:  
Si
TO-247-4
Through Hole
Single
1.2 kV
1.37 V
20 V
50 A
416 W
- 55 C
+ 175 C
AFGH4L25T120RWD
Tube
Marca: onsemi
Corriente continua del colector Ic Máx.: 25 A
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Corriente de fuga puerta-emisor: 400 nA
Tipo de producto: IGBTs
Cantidad del paquete de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

AFGHxL25T Single N-Channel 1200V 25A IGBTs

onsemi AFGHxL25T Single N-Channel 1200V 25A Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) feature a robust and cost-effective Field Stop VII Trench construction. The onsemi AFGHxL25T provides superior performance in demanding switching applications. Low on-state voltage and minimal switching loss offer optimum hard and soft switching topology performance in automotive applications.

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