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AFGH4L25T120RW

Name: onsemi AFGH4L25T120RW
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGH4L25T120RW
Price: 7.06 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-AFGH4L25T120RW

Fabr. N.º:

AFGH4L25T120RW

Fabr.:

onsemi

Descripción:

IGBT FS7 1200V 25A SCR IGBT STAND-ALONE TO247 4L

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

AFGH4L25T120RW Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
Tecnología:	Si
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.37 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	50 A
Pd (disipación de potencia):	416 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	AFGH4L25T120RW
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Corriente continua del colector Ic Máx.:	25 A
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Corriente de fuga puerta-emisor:	400 nA
Tipo de producto:	IGBTs
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors

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AFGH4L25T120RW Hoja de datos

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

AFGHxL25T Single N-Channel 1200V 25A IGBTs

onsemi AFGHxL25T Single N-Channel 1200V 25A Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) feature a robust and cost-effective Field Stop VII Trench construction. The onsemi AFGHxL25T provides superior performance in demanding switching applications. Low on-state voltage and minimal switching loss offer optimum hard and soft switching topology performance in automotive applications.