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IPP023NE7N3 G

Name: Infineon IPP023NE7N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPP023NE7N3G
Price: 3.66 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IPP023NE7N3G

Fabr. N.º:

IPP023NE7N3 G

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

Hoja de datos:

IPP023NE7N3 G Hoja de datos (PDF)

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	1,87 €	187,00 €
	1,56 €	780,00 €
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	1,36 €	3.400,00 €

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

IPP023NE7N3GXKSA1

Embalaje:

Tube

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

3,37 €

Min:

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Fabr.:

Infineon Technologies

Fabr. N.º:

IPP023NE7N3GXKSA1

Descripción:

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	75 V
Id: corriente de drenaje continuo:	120 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.1 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.3 V
Qg (carga de compuertas):	206 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	300 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	22 ns
Transconductancia delantera: mín.:	98 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	26 ns
Serie:	OptiMOS 3
Cantidad del paquete de fábrica:	500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	70 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	19 ns
Alias de parte #:	SP000641722 IPP23NE7N3GXK IPP023NE7N3GXKSA1
Peso unitario:	2 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Switch Mode Power Supplies (SMPS)

Infineon Technologies Switch Mode Power Supplies (SMPS) are a cost-effective line that includes high voltage MOSFETs, control ICs, and Silicon Carbide diodes for PFC and PWM stages, as well as low voltage MOSFETs for synchronous rectification. With these SMPS products Infineon supports the trends towards continuously reducing power consumption. Especially versatile is the new CoolMOS™ 600V C6 family which combines good efficiency with attractive pricing, as does our 3rd generation SiC diodes. For synchronous rectification the OptiMOS™ 3 series offers extremely low on-state resistance and low capacitances. Infineon's new control ICs support topologies such as quasi-resonant flyback and LLC.

Switch Mode Power Supplies - High Power Topology

Infineon Technologies Switch Mode Power Supplies - High Power Topology is suitable for power applications above 400W. Following the front end stage of an AC/DC rectifier, a DC/DC power converter is required to step down the bus voltage and provide a galvanically isolated and tightly regulated DC output (12V, 24V, 48V). While a wide range of isolated topologies are available, the phase-shifted full-bridge converter is more suitable for higher power applications for reasons such as its inherent zero-voltage Switching for the primary side switches.

Infineon OptiMOS™ 3

Infineon's OptiMOS™ 3 40V, 60V, and 80V families reduce power losses up to 30% in a given standard TO package. The low switching losses and on-state resistance of the devices enable an increase in power densities by up to 30% and a reduction in part count for a given application by more than 25%, compared to competitive solutions. The OptiMOS™ 3 devices offer best-in-class RDS(on), achieving an RDS(on) as low as 1.6mΩ for 40V products in SuperSO8™ packages, 3.5mΩ for 60V products in D-PAK packages, and 2.5mΩ for 80V products in D2-PAK packages. The MOSFETs are ideal for a variety of power conversion and management applications, including SMPSs, DC/DC converters, and DC motor drives.