C6D20065G

Wolfspeed
941-C6D20065G
C6D20065G

Fabr.:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC SiC, Schottky Diode, 20A, 650V, TO-263-2, Industrial

Modelo ECAD:
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En existencias: 710

Existencias:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
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Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
7,41 € 7,41 €
5,68 € 56,80 €
4,82 € 482,00 €
4,38 € 2.190,00 €
4,28 € 4.280,00 €
3,90 € 9.750,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Wolfspeed
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-2 (TO-263-2)
Single
64 A
650 V
1.27 V
135 A
5 uA
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marca: Wolfspeed
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: US
País de origen: US
Sensibles a la humedad: Yes
Pd (disipación de potencia): 163 W
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica: 50
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

Diodos Schottky de SiC de 650 V de la serie E6Dx

Los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) de 650 V de la serie E6Dx de Wolfspeed mejoran el rendimiento de los sistemas electrónicos de potencia logrando niveles de eficiencia más altos en comparación con las alternativas basadas en silicio. Además, estos productos permiten alcanzar mayores frecuencias de funcionamiento y densidades de potencia. Los diodos de SiC E6Dx pueden conectarse fácilmente en paralelo para adaptarse a diversas necesidades de aplicación sin riesgo de inestabilidad térmica. Gracias a su rendimiento térmico superior y a sus requisitos de enfriamiento reducidos, estos diodos de SiC de 650 V pueden reducir los costes generales del sistema en una amplia gama de aplicaciones. 

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are optimized for high-performance power electronics applications, including server power supplies, electric vehicle charging systems, energy storage systems, solar (PV) inverters, industrial power supplies, and consumer electronics. Compared to silicon-based solutions, Wolfspeed Silicon Carbide technology enables increased system power density, higher switching frequencies, smaller designs, cooler components, reduced size of components like inductors, capacitors, filters, and transformers, and overall cost benefits. Wolfspeed SiC diodes feature the MPS (Merged PiN Schottky) design, which is more robust and reliable than standard Schottky barrier diodes. Wolfspeed's portfolio of SiC Schottky diodes come in various packages to meet diverse application requirements.

Diodos C6D SiC Schottky de 650 V de 6.ª generación

Los diodos C6D SiC Schottky de 650 V de 6.ª generación de Wolfspeed ofrecen innovación tecnológica y aportan el mayor nivel de eficiencia a los sistemas en un convertidor tipo Boost PFC. Los diodos SiC Schottky de 650 V ofrecen una tensión de funcionamiento de 400 V-450 V, lo que supone una gran ventaja para las aplicaciones de alimentación eléctrica. Los diodos C6D son ideales para la disposición de dispositivos en paralelo al eliminar los problemas de disipación térmica. Los diodos C6D ofrecen una corriente nominal de 4 A, 6 A, 8 A y 10 A, y están disponibles en un paquete TO-220-2 estándar.