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LMG3422R050RQZR

Name: Texas Instruments LMG3422R050RQZR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3422R050RQZR
Price: 7.74 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

595-LMG3422R050RQZR

Fabr. N.º:

LMG3422R050RQZR

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

Controlador de puerta 600-V 50-m? GaN FET with integrated driv

Hoja de datos:

LMG3422R050RQZR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controlador de puerta
Alertas de entrega:	Este producto puede requerir documentación adicional para las exportaciones a los Estados Unidos.
RoHS:
Producto:	Half-Bridge Drivers
Tipo:	High-Side, Low-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	VQFN-54
Número de controladores:	1 Driver
Número de salidas:	1 Output
Tensión del suministro - Mín:	7.5 V
Tensión del suministro - Máx:	18 V
Configuración:	Non-Inverting
Tiempo de establecimiento:	2.5 ns
Tiempo de caída:	21 ns
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Serie:	LMG3422R050
Empaquetado:	Reel
Marca:	Texas Instruments
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	Gate Drivers
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	GaN
Nombre comercial:	GaN

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: 3A001.A.2.A

LMG342xR050 600V 50mΩ GaN FETs

Texas Instruments LMG342xR050 600V 50mΩ GaN FETs with integrated driver and protection enable designers to achieve new power density and efficiency levels in power electronics systems. The LMG342xR050 integrates a silicon driver that enables switching speeds up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance.