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LMG3422R030RQZR

Name: Texas Instruments LMG3422R030RQZR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3422R030RQZR
Price: 10.23 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

595-LMG3422R030RQZR

Fabr. N.º:

LMG3422R030RQZR

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

Controlador de puerta 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3422R030RQZT

Hoja de datos:

LMG3422R030RQZR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controlador de puerta
RoHS:
Producto:	Isolated Gate Drivers
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	VQFN-54
Número de controladores:	1 Driver
Número de salidas:	3 Output
Corriente de salida:	1.2 A
Tensión del suministro - Mín:	7.5 V
Tensión del suministro - Máx:	18 V
Configuración:	Non-Inverting
Tiempo de establecimiento:	4 ns
Tiempo de caída:	21 ns
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Serie:	LMG3422R030
Empaquetado:	Reel
Marca:	Texas Instruments
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Kit de desarrollo:	LMG342X-BB-EVM
Voltaje de entrada - Máx:	18 V
Voltaje de entrada - Mín:	0 V
Tipo lógico:	CMOS
Tiempo de retraso de apagado máximo:	65 ns
Tiempo de retraso de encendido máximo:	52 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	Gate Drivers
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	30 mOhms
Apagado:	Shutdown
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	GaN
Nombre comercial:	GaN

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Hoja de datos

LMG3422R030RQZR Hoja de datos

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USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

LMG342xR030 GaN Field Effect Transistors (FETs)

Texas Instruments LMG342xR030 GaN Field Effect Transistors (FETs) come with an integrated driver and protection that enables designers to achieve new power density and efficiency levels in power electronics systems.