Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

CSD86330Q3D

Name: Texas Instruments CSD86330Q3D
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD86330Q3D
Price: 2.3 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

595-CSD86330Q3D

Fabr. N.º:

CSD86330Q3D

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET Sync Buck NexFET Pwr Block MOSFET

Hoja de datos:

CSD86330Q3D Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Texas Instruments CSD86330Q3D

En existencias: 14.113

Existencias:: 14.113 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 6 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,30 €	2,30 €
	1,52 €	15,20 €
	1,11 €	111,00 €
	0,929 €	464,50 €
	0,869 €	869,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,869 €	2.172,50 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	LSON-CLIP-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	25 V
Id: corriente de drenaje continuo:	4.5 A
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 5 V, 5 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.1 V, 1.6 V
Qg (carga de compuertas):	6.2 nC, 12 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	6 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Kit de desarrollo:	CSD86330EVM-717, TPS40322EVM-679
Tiempo de caída:	1.9 ns, 4.2 ns
Transconductancia delantera: mín.:	52 S, 82 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	7.5 ns, 6.3 ns
Serie:	CSD86330Q3D
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	8.5 ns, 15.8 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	4.9 ns, 5.3 ns
Peso unitario:	64 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

CSD86330Q3D Hoja de datos

Application Notes

Images

Function Diagram

PCN

SPICE Models

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

TI N-Channel 8-23-12

MOSFET de alimentación NexFET™ de Texas Instruments

Los MOSFET de alimentación NexFET™ de Texas Instruments ofrecen la mitad de carga de compuerta para la misma resistencia, de forma que los diseñadores pueden obtener una eficiencia de alimentación del 90% con el doble de frecuencia. Los MOSFET de alimentación NexFET de TI combinan un flujo de corriente vertical con un MOSFET de alimentación lateral. Estos dispositivos ofrecen una resistencia de activación baja y requieren una carga de compuerta extremadamente baja con perfiles de paquete habituales en el sector. Esta combinación no era posible anteriormente con las plataformas de silicio existentes. La tecnología del MOSFET de alimentación NexFET de TI mejora la eficacia energética para sistemas informáticos de altas prestaciones, redes, sistemas de redes y fuentes de alimentación.
Más información

Power Block TI NexFET

NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.