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CSD75208W1015

Name: Texas Instruments CSD75208W1015
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD75208W1015
Price: 0.58 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD75208W1015

Fabr. N.º:

CSD75208W1015

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD75208W1015T

Hoja de datos:

CSD75208W1015 Hoja de datos

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,585 €	0,59 €
	0,37 €	3,70 €
	0,248 €	24,80 €
	0,196 €	98,00 €
	0,174 €	174,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,154 €	462,00 €
	0,141 €	846,00 €
	0,136 €	1.224,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

CSD75208W1015T

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

1,45 €

Min:

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Fabr.:

Texas Instruments

Fabr. N.º:

CSD75208W1015T

Descripción:

MOSFET 20V PCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD7520 A 595-CSD75208W1015

Comparar con pieza actual

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DSBGA-6
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	1.6 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	68 mOhms, 108 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	500 mV
Qg (carga de compuertas):	2.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	750 mW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	CN
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	11 ns
Transconductancia delantera: mín.:	7.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	5 ns
Serie:	CSD75208W1015
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	29 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	9 ns
Peso unitario:	1,400 mg

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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

MOSFET de alimentación NexFET™ de Texas Instruments

Los MOSFET de alimentación NexFET™ de Texas Instruments ofrecen la mitad de carga de compuerta para la misma resistencia, de forma que los diseñadores pueden obtener una eficiencia de alimentación del 90% con el doble de frecuencia. Los MOSFET de alimentación NexFET de TI combinan un flujo de corriente vertical con un MOSFET de alimentación lateral. Estos dispositivos ofrecen una resistencia de activación baja y requieren una carga de compuerta extremadamente baja con perfiles de paquete habituales en el sector. Esta combinación no era posible anteriormente con las plataformas de silicio existentes. La tecnología del MOSFET de alimentación NexFET de TI mejora la eficacia energética para sistemas informáticos de altas prestaciones, redes, sistemas de redes y fuentes de alimentación.
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