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CSD19538Q2

Name: Texas Instruments CSD19538Q2
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19538Q2
Price: 0.65 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD19538Q2

Fabr. N.º:

CSD19538Q2

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q2T

Hoja de datos:

CSD19538Q2 Hoja de datos

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,654 €	0,65 €
	0,407 €	4,07 €
	0,263 €	26,30 €
	0,20 €	100,00 €
	0,18 €	180,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,154 €	462,00 €
	0,141 €	846,00 €
	0,136 €	1.224,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

CSD19538Q2T

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

1,59 €

Min:

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Fabr.:

Texas Instruments

Fabr. N.º:

CSD19538Q2T

Descripción:

MOSFET 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2

Comparar con pieza actual

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	WSON-FET-6
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	14.4 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	59 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.8 V
Qg (carga de compuertas):	5.6 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	20.2 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	CN
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	2 ns
Transconductancia delantera: mín.:	19 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	3 ns
Serie:	CSD19538Q2
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	7 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	5 ns
Peso unitario:	6 mg

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Atributos seleccionados: 0

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SPICE Models

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TI N-Channel 8-23-12

MOSFET de alimentación NexFET™ de Texas Instruments

Los MOSFET de alimentación NexFET™ de Texas Instruments ofrecen la mitad de carga de compuerta para la misma resistencia, de forma que los diseñadores pueden obtener una eficiencia de alimentación del 90% con el doble de frecuencia. Los MOSFET de alimentación NexFET de TI combinan un flujo de corriente vertical con un MOSFET de alimentación lateral. Estos dispositivos ofrecen una resistencia de activación baja y requieren una carga de compuerta extremadamente baja con perfiles de paquete habituales en el sector. Esta combinación no era posible anteriormente con las plataformas de silicio existentes. La tecnología del MOSFET de alimentación NexFET de TI mejora la eficacia energética para sistemas informáticos de altas prestaciones, redes, sistemas de redes y fuentes de alimentación.
Más información

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.