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CSD19506KTTT

Name: Texas Instruments CSD19506KTTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19506KTTT
Price: 6.35 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD19506KTTT

Fabr. N.º:

CSD19506KTTT

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19506KTT

Hoja de datos:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 50)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	6,35 €	6,35 €
	3,22 €	32,20 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 50)
	3,22 €	161,00 €
	3,03 €	303,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

CSD19506KTT

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

4,38 €

Min:

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Fabr.:

Texas Instruments

Fabr. N.º:

CSD19506KTT

Descripción:

MOSFET 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19506KTTT

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	200 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.3 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	120 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	375 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	5 ns
Transconductancia delantera: mín.:	297 S
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	7 ns
Serie:	CSD19506KTT
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	30 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	14 ns
Peso unitario:	2 g

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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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JPHTS:: 8541290100
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ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

TI N-Channel 8-23-12

MOSFET de alimentación NexFET™ de Texas Instruments

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