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CSD17551Q3A

Name: Texas Instruments CSD17551Q3A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17551Q3A
Price: 0.97 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD17551Q3A

Fabr. N.º:

CSD17551Q3A

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 30V N-Chnl MOSFET A 595-CSD17578Q3A A 59 A 595-CSD17578Q3A

Hoja de datos:

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,972 €	0,97 €
	0,608 €	6,08 €
	0,399 €	39,90 €
	0,31 €	155,00 €
	0,28 €	280,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,28 €	700,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Texas Instruments

Fabr. N.º:

CSD17578Q3A

Descripción:

MOSFET CSD17578Q3A 30 V 8-V SONP A 595-CSD17578 A 595-CSD17578Q3AT

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	VSONP-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	48 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	9 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.1 V
Qg (carga de compuertas):	6 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	2.6 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	3.4 ns
Transconductancia delantera: mín.:	101 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	24 ns
Serie:	CSD17551Q3A
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	12 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	8 ns
Peso unitario:	27,600 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

TI N-Channel 8-23-12

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